转自:金融界本文源自:IT之家DRAM芯片制造商长鑫存储(CXMT)近日出席在旧金山举办的第69届IEEE国际电子器件会议(IEDM),发表了一篇论文,展示了环绕式闸极结构(Gate-All-Around,GAA)技术,适用于尖端3nm芯片。IT之家注:专利中提及GAA技术适用于包括5nm、7nm、10nm和14nm在内的3nm以下芯片,但这并不代表着长鑫存储当...