IT之家7月4日消息,韩国基础科学研究院(IBS)的研究团队取得突破,成功研制出亚纳米级晶体管,超越了现有行业发展预期。该技术有望引领下一代低功耗高性能电子设备的研发。据IT之家了解,半导体器件的集成度取决于栅极电极的宽度和长度。在传统的半导体制造工艺中,由于光刻分辨率的限制,将栅极长度减少到几纳米以下是不可能的。二维半导体二硫化钼的镜面孪晶边界(MTB)是宽度仅为0.4纳米的...