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cmos集成电路的常用电容是什么?

1、低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为 - 55 0C ~ 125 0C；塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。

2、CMOS逻辑门通过自身的输入电容，对设备的耦合和输入晶体的串联电容来提供分有电容。这些内部电容并不等于运行所需的电容值。

3、cmos集成电路中的电容有实现方法步骤。交流电阻还可以采用开关和电容器来实现。采用开关电容来增加调节范围实现电路设计。

4、方块值，最直接的影响就是layout面积，方块值越大，暂用面积就会越小。一般来说，hr电阻方块值可以高达几十K，有 SAB的电阻方块值会大于没有SAB的，well电阻的方块值比较大，因为浓度比较小。

5、主要2部分：门极和漏极的结间电容Cgd，漏极和体间的扩散电容Cdb。其中的Cgd主要在逻辑转换瞬间发生作用。如果驱动负载门极则要考虑米勒效应。

当受到雷击时避雷针的接地线周围安全吗?

1、当受到雷击时避雷针的接地线周围安全。避雷针避雷原理：在雷雨天气，高楼上空出现带电云层时，避雷针和高楼顶部都被感应上大量电荷，由于避雷针针头是尖的，所以静电感应时，导体尖端总是聚集了最多的电荷。

2、遭受雷击时，接地体有电流通过，向周围大地扩散，离接地体越近，电位越高，可能出现跨步电压都能把人打死（前后两只脚之间的电位差，引起电流从一只脚经过人体流到另一只脚，造成触电），接地体附近是有危险的。

3、当然有危险，所谓避雷针，是将雷电引入大地的，如果此时人在附近就会发生危险。所以雷雨天要远离避雷针引线，远离树木，身体不 携带 金属物。

电容的容量与电压的关系?

1、电容和电压没有必然联系，但是如果知道电压，可以通过公式计算电容。通常简称电容器容纳电荷的本领为电容，电容是电容器的一种固有性质，由电容器极板材料，两极板之间的距离决定，与电压没有关系。

2、电容与电压的关系公式如下：C=Q/U，其中C表示电容，Q表示电荷量，U表示电压。电容是指物体对电量存储的能力。电容越大，则能存储的电量就越多。电压是指电场在两点之间的差异程度。电压越高，则电场强度越大。

3、电容和电压的关系是反比。电容与电压的关系公式如下：电容=电荷量/电压。C=Q/U，其中C表示电容，Q表示电荷量，U表示电压。电容是指物体对电量存储的能力。电容越大，则能存储的电量就越多。

最大的储电设备是什么

世界上还没有能够把交流电存储器来的设备，存储直流电只能是电容器或可充电电池之类的。

指的是不间断电源。是在电网异常（如停电、欠压、干扰或浪涌“也称：涌浪电流”）的情况下不间断的为电器负载设备提供后备交流电源，维持电器正常运作的设备。

目前别说大容量储存电的设备，就是小容量储存电的设备都不可能，因为目前还无法储存电。比如电池、电瓶储存的也不是电，而是化学能；比如电容储存的也不是电，而是电容介质产生的磁畴能量。即电不能储存。

陈克恭的电子工业

中华人民共和国建国初期，中国电子元件工业基础极为薄弱。陈克恭先后奉调715厂、718厂主持新型电子元件的技术开发和生产管理工作。

年毕业于上海建华无线电学校。曾任资源委员会桂林中央无线电器材总厂和昆明分厂副工程师、上海中央无线电器材公司工程师。建国后，历任电子工业部电子元件厂厂长、总工程师，中国电子学会第二届常务理事、第三届理事。

3年12月，部科技委把由陈克恭等修改并充实了的这份咨询建议，正式发给部属有关局司、总公司、上海仪表局以及有关工厂与研究所，从而为电子工业系统此后大范围地以国际标准来开发和生产电子产品起了推动作用。

—1961年第三机械工业部十局成都715厂总工程师（兼副厂长）。1961—1964年第四机械工业部北京华北无线电器材联合厂（718厂）总工程师。1964—1981年第四机械工业部北京第二无线电器材厂（七一八厂）厂长兼总工程师。