技术突破！SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片

财联社8月29日讯（编辑 周子意）全球第二大存储芯片制造商SK海力士周四（8月29日）表示，已开发出业界首款第六代10纳米级动态随机存取存储器（DRAM）芯片，该芯片的功耗比旧型号更低、能效则更高。

SK海力士在一份声明中表示，这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。

据介绍，此次1c 16Gb DDR5芯片将主要用于高性能数据中心，其运行速度为8Gbps（每秒8千兆比特），与前一代相比速度提高了11%；此外该芯片还比前一代的能效提高了9%以上。

该公司还表示，在当前人工智能蓬勃发展的时期，这可以帮助数据中心减少多达30%的电力成本。

此次的1c工艺是以1β工艺为基础，1β工艺就是上一代DRAM芯片采用的第五代10纳米技术，其以最佳性能的DRAM而广受赞誉的。为了减少在推进过程中产生的潜在错误，并以最有效的方式转移1β的优势，该公司扩展了1β的DRAM平台以开发1c。

公司声明中写道，“公司以第五代（1β）技术力为基础，提高了设计完成度，率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。”

DRAM开发部门负责人Kim Jonghwan表示，“1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先进DRAM主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。”